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在理想單晶體內在結晶過程中，同樣在塑性變形過程中有位錯產生。在由液態(tài)金屬結晶過程中位錯產生的機理是各式各樣的。由于不同方位柱枝狀結晶輕微接觸，可以產生位錯。由于溫度梯度、對流及其它原因而產生不同方位。表示一個晶體的兩個對稱但不同方位的部分相互接觸和在接觸面上產生正位錯的最簡單情況�？梢陨�成螺旋位錯初始臺階的條件為結晶時受異類原子和異類雜質的影響，也因為結品萌芽經常是產生在現成．．狗媒介物上（例如，錠模內壁，懸浮在熔液中的固體微粒）。它的形狀（指媒介物）與凝固物質規(guī)則晶體的形狀是有區(qū)別的。

也還有在結晶過程中產生位錯的其它說法，而它們全部都與結晶過程條件不完善有關。對流、溫度梯度、、異類原子作用和與其它原因有關的結晶條件不完善，決定了理想單晶體是由鑲嵌塊組成的。就是在塑性變形過程中也產生位錯。這是因為雖然部分位錯到了單晶體表面上或相互抵消（例如，正負刃型位錯合并），但總的位錯量在冷變形過程中增加了。所以，例如A．皿，曼那賽維奇指出，與理論計算結果一致，在經過很好退火的金屬大直徑不銹鋼管中位錯數量約中有108個，而在加工硬化的金屬中有1012個。

塑性變形過程中產生位錯的機理還沒有完全解釋清楚，并有很多假說，其中部分得到間接的實驗證明。最有說服力的假說是用初始位錯運動受到局部阻礙的現象存在來解釋新位錯的產生。這個假說是由@．K.富蘭克和B. T.瑞德所提出來的，給出產生新位錯的兩種機理。第一種情形為位錯的一邊被固定。設線ABC為刃型位錯，而與CDE平面平行的平面——唯一有效的滑移藹。同樣可認為線段AB（位錯的邊緣）被固定。線段BC可在CDE面內運動，5并且圍繞B點環(huán)行。當線段Bc走過了CDE面所有區(qū)域時，就產生了單位滑移。這樣，當線段Bc過渡到BD位置時在扇形面BCD上產生了一個原子間距的滑移。在CDE面上的其它部位上沒有產生滑移。線段BC的繞轉每一周在全部滑移面上得到一個原子間距的滑移。

通過線段BC的重復繞轉可得到無限數量的單位滑移。為了產生單位滑移，必須使繞轉著的線聶按螺旋線旋轉。此后，大直徑不銹鋼管線段在繞轉過程中在整個滑移面CDE上獲得螺旋形，每個完全的旋轉螺旋線都將發(fā)生單位滑移。線段BC按照與“多余的”平面么相對應的螺旋線旋轉形成圓柱表面，該表面在垂直予線段AB的橫截面上產生螺旋線。圍繞B點的旋轉導致位錯線長度的增加。

第二種情形為位錯線兩端均被固定，位錯運動局部受阻，產生了位錯的增殖。這就是所謂的富蘭克~瑞德源，即位錯源。由富蘭克一瑞德源產生新位錯的筒圖。圖1.20的平面就是滑移面，其上有于D和D 7點被固定的位錯線DD。施加的應力1使位錯線成弧狀。彎曲半徑與施加的應力有關，且應力愈大則半徑減少。當位錯線具有半圓形時，曲率半徑將最小。力f的降低。當f值不變時位錯線應當圍繞點D和D 7繞行。位錯線組成為卷線，卷線上m點和櫛點的運動相遇，在最后階段此長繩式的位錯線變成一個封閉位錯線和一個新的位錯DD 7。新位錯DD!與初始的位錯相似。因為在點m和點，；上具有正刃型位錯和負刃型位錯，當位錯在m點和行點相遇時它們就消失了。在塑性變形過程中，上述出現位錯的來源并不是唯一的。例如，在多晶體塑性變形過程中，由于具有不規(guī)則外形的友鄰晶粒被局部“壓扁”，所以在晶粒邊界上可以產生位錯。在塑性變形過程中，新位錯的出現和新位錯在外力作用下由單晶體一邊至另一邊的定向移動，將導致塑性變形過程中單晶體個別部分間的相對位移遠遠地大于原子間距離。wdtu.cn