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位錯運動的速度：位錯以一定的速度運動，其值之大小對具體金屬來說取決于作用應(yīng)力之值和溫度條件。中．澤依茲給出數(shù)據(jù)，按這些數(shù)據(jù)；當(dāng)純金屬單晶體變形速度為l×l0-e秒時，開始塑性變形所必須的滑移應(yīng)力為在1m.ma上零點幾公斤力，并指出，低變形速度時  絮在金屬中觀察到無論任何小的載荷下均有微小的和逐漸的流動。顯然應(yīng)該這樣解釋，當(dāng)具有熱振動的情況T甚至最低的負(fù)載也能夠引起位錯的定向移動，所以也能引起塑性變形。隨著應(yīng)力增加，熱振動對位錯移動可能性的影響降低了。而位錯的運動，同時還有位錯運動的速度主要地決定于作用應(yīng)力的數(shù)值�，F(xiàn)有的關(guān)于位錯運動速度與基本因素間關(guān)系的研究的實驗結(jié)果很有局限性C111]，但是這些結(jié)果表明，這種關(guān)系可近似地用指數(shù)函數(shù)表示 位錯的相互作用：正如前邊所述，在位錯區(qū)域內(nèi)，由于原子離開了具有最低位能的位置，相應(yīng)地產(chǎn)生了應(yīng)力場，并引起位能增加。位錯力場可與溶質(zhì)原子力場相互作用，并且靠近位錯的溶質(zhì)原子相互吸引�？催^刃型位錯力場，就可明了這種吸引的原因。在滑移面上邊為壓縮區(qū)，而滑移面下邊為伸長區(qū)。對于插入型溶質(zhì)元素的原子，由于容易將它放置于遠(yuǎn)離開的原子之間，靠近伸長區(qū)的原子相互吸引。對于置換型溶質(zhì)元素的原子來說，如果原子尺寸大于基體金屬原子的尺寸，則靠近伸長區(qū)的原子相互吸引；如果原子尺寸小于基體金屬原子尺寸，則靠近壓縮區(qū)的原子相互吸引。溶質(zhì)原子的這種布局格式減少了位能，這是因為位錯力場和異質(zhì)原子力場合并的總力場的能量小于位錯力場的能量與異質(zhì)原子力場的能量之和的緣故。這樣，由于擴(kuò)散過程酌結(jié)果，位錯就成為溶質(zhì)原子氣團(tuán)（科垂耳氣團(tuán)）。這樣的位錯開始運動（使位錯由科垂耳氣團(tuán)中走出）所必須的應(yīng)力大于位錯繼續(xù)運動所需的應(yīng)力。大口徑不銹鋼管由溶質(zhì)原子包圍著的位錯具有能量甲，沒有異質(zhì)原子的位錯力場的能量為乙，沒有位錯的異質(zhì)原子力場的能量為丙，若甲與（乙+丙）之間的差值越大，則這種應(yīng)力的值的差（即位錯由科垂耳氣團(tuán)中走出的應(yīng)力與位錯繼續(xù)運動的應(yīng)力之間的差）也愈大。

位錯力場不僅與異質(zhì)原子力場相互作用，而且位錯力場自己之間也相互作用。例如，在同一滑移面上排列的異號位錯（正位錯和負(fù)位錯）互相吸弓l（當(dāng)匯合時消失），而同號位錯互相排斥。排列在相交平面上的位錯也同樣互相作用并趨向于占據(jù)具有低位錯晶格的位置。在相當(dāng)高溫度下長時間退火過程中，組成了小塊或同一尺寸的空間格架（富蘭克網(wǎng)架）(111J的位錯可以移動。相互連接起來的刃型位錯其“多余平面”相截。為了使位錯開始運動所需要的應(yīng)力要比全刃型位錯或全螺旋位錯開始運動所需要的應(yīng)力大得多。類似的位錯稱為“坐式位錯”。在大口徑不銹鋼管未變形金屬中位錯的空間網(wǎng)架的存在構(gòu)成了可動位錯開始移動的阻礙，這種阻礙提高了單晶體的彈性極限。除了位錯組成空間網(wǎng)架之外（當(dāng)然伴隨著總能量的降低），當(dāng)位于平行的滑移面上的同符號位錯自上至下成行地排列起來時，則可組成所謂位錯墻。彼此相距不遠(yuǎn)的不同長度的平行位錯墻使單晶體分解成亞晶粒（鑲嵌塊）。使單晶體分解成亞晶�！�—多邊形的位錯墻的生成叫做多邊化。為了使位錯排列成墻，必須既有位錯運動，又有位錯攀移，因之也有多邊化——熱活性化過程。

在塑性變形過程申，位錯密度的增加將引起已經(jīng)產(chǎn)生的位錯堆集起來，生成了位錯空間網(wǎng)。網(wǎng)架和墻組成的位錯繼續(xù)運動就變得愈加困難。同時位錯墻和鑲嵌塊邊界變成了其它（可動）位錯經(jīng)過它們的運動障礙。一  但是，不僅是位錯空間網(wǎng)架和位錯墻顯示出位錯運動的阻力。相當(dāng)大的位錯運動阻力是來自溶質(zhì)原子力場，也來自交叉滑移面樞紐（這與在兩交叉滑移面上或其中之一上產(chǎn)生滑移面與否無關(guān)）。后一現(xiàn)象是與在交叉滑移面樞紐處產(chǎn)生坐式位錯（角位錯）有關(guān)，這種位錯對可動位錯的移動表現(xiàn)出極大的阻礙。wdtu.cn